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IRFH5306PbF
DS
100
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R  (on)
100μsec
10
T J = 150°C
T J = 25°C
10
10msec
1msec
1
0.1
VGS = 0V
1
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
1
10
100
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
45
40
35
30
25
20
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
3.0
2.5
2.0
1.5
15
10
5
0
1.0
0.5
I D = 25μA
I D = 500μA
I D = 1.0mA
I D = 1.0A
25
50
75
100
125
150
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T C , Case Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Case (Bottom) Temperature
10
D = 0.50
T J , Temperature ( °C )
Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature
1
0.1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
0.01
0.001
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (Bottom)
4
www.irf.com ? 2014 International Rectifier
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January 20, 2014
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